全球半導體(tǐ)産業(yè)奉為(wèi)圭臬的(de)摩爾定律(Moore’s Law)發展雖有(yǒu)面臨瓶頸的(←≤₹↓de)挑戰，然目前半導體(tǐ)業(yè)者仍積極©✘≥♥發展新材料，并在制(zhì)程微(wēi♠÷✘¶)縮上(shàng)加緊腳步，國(guó)研院國(guó)家δ&©(jiā)奈米元件(jiàn)實驗室便表示，三角型鍺鳍式電(diàn)晶φ±體(tǐ)技(jì)術(shù)可(kě)↔≈≥‍克服矽基材上(shàng)的(de)鍺通(©≠​Ωtōng)道(dào)缺陷問(wèn)題，讓半導體(tǐ)技(jì)術(sh♠σù)進入10奈米制(zhì)程。

　　半導體(tǐ)産業(yè)制(zhì‍₩×)程演進速度愈來(lái)愈快(kuài)，英特爾(Intel) 22奈米制(zhì)程即将進入量産，台積電(§★λ₽diàn)制(zhì)程技(jì)術(shù)也(yě)進入 &28奈米，DRAM技(jì)術(shù)制(zhì)程年(nián)底進入30奈米，2012年(♣★φ♥nián)将進入20奈米世代，而NAND Flash産業(yè)∏€制(zhì)程在2011年(nián)則是(shì)26、27奈米制(z£πhì)程，2012年(nián)将進入20、19奈米制(zhì)程<↑₩，半導體(tǐ)業(yè)者預計(jì)未來(lái)2、3年(nián<"™↓)會(huì)進入14奈米制(zhì)程世代。φ$β✔

　　半導體(tǐ)業(yè)者表示，制(zhì)程技(jì)術(shù)愈往¥<α下(xià)微(wēi)縮，尤其是(shì)半導體(←← tǐ)制(zhì)程技(jì)術(shù)在進入10奈✘¶♣≥米制(zhì)程以下(xià)，新機(jī)台和(hé)新材料會(huì)是(♥ ∏←shì)半導體(tǐ)業(yè)者面臨的(de)2大(dà)挑戰♥↑σ，以新機(jī)台設備為(wèi)例，超紫外(w‍λ♦ài)光(guāng)微(wēi)影(yǐng)(EUV)價格昂貴，對(d✔ε<uì)于半導體(tǐ)業(yè)者而言相(xiàng)當頭痛，平均1台 ≥<λEUV機(jī)台設備要(yào)1億美(měi)元，折合新台©•♥币要(yào)30億元左右，對(duì)晶圓廠(chǎng)而言是⮀(shì)非常高(gāo)價的(de)投資。

　　台積電(diàn)研發資深副總蔣尚義曾表示，台λλ>積電(diàn)在14奈米制(zhì)程還 ♣€(hái)未決定采用(yòng)哪一(yī)種機(jī)"±‍台設備，EUV機(jī)台效率讓晶圓産出不(b•γδù)如(rú)預期，半導體(tǐ)制(zhì)程技(jì)術(shπ>©ù)未來(lái)不(bù)論是(shì)用(yòng)EUV技(jì)術Ω∞♦(shù)或是(shì)多(duō)電(diàn)? l光(g↔¥•≥uāng)束無光(guāng)罩微(wēi)影(yǐng)技(jì)術(shùγ♠)(MEB)，半導體(tǐ)設備端都(dōu)是(shì)很(hěn'÷)大(dà)問(wèn)題，需要(yào)再<γ加把勁。

　　半導體(tǐ)材料方面，= 研院國(guó)家(jiā)≥₹奈米元件(jiàn)實驗室表示，相(xiàng)較于矽基材，純γ≤γα鍺材料的(de)電(diàn)晶體(tǐ)運行↓α♥(xíng)速度可(kě)提升2~4倍，而三角型鍺鳍式電(diàn)晶αα​δ體(tǐ)技(jì)術(shù)則可(kě)克×λ服矽基材上(shàng)鍺通(tōng)≠¥★道(dào)會(huì)出現(xiàn)缺陷的(de)問(wèn)題，可(kěβ•>φ)實現(xiàn)10奈米電(diàn)©≠晶體(tǐ)元件(jiàn);再者，銀(yín)金(jī ≥n)屬直立導線技(jì)術(shù)則是(shì)利用(yòn"∏©g)底部成長(cháng)(bottom-up)方式，突破傳統鎢金(₩€≠jīn)屬栓塞結構在尺寸微(wēi)縮時(shí)的(de)制(zhì)程瓶Ω©頸。

　　國(guó)家(jiā)奈米元件(jiàn)實驗室分(f​•σēn)析，銀(yín)是(shì)目前電(diàn)阻值最低(dī)的(de)金(jīn)屬，可(kě)符合10奈米世代金(jī↓§δn)屬導線制(zhì)程需求。

　　再者，在矽晶片上(shàng)制(zhì)作(zuò)綠(lσγǜ)色環保雙面入光(guāng)型高(gāo)效率太陽能(néng)電(dià✔×♥πn)池，結合銅铟镓硒薄膜電(diàn)晶體(tǐ)技(≥∏≥jì)術(shù)，可(kě)開(kāi)發自(γ♥zì)供電(diàn)力線路(lù)模組的(de)矽基太陽能(néng)元件(jià•φn)，包含多(duō)項與積體(tǐ)電(diàn)路(​÷∏☆lù)後段連導線相(xiàng)容的(de)關鍵技(jì)術(shù)，包括低☆ε®↔(dī)溫(~400°C)銅铟镓硒薄膜共蒸鍍技™ ™(jì)術(shù)、無鈉無镉綠(lǜ)色環保制(zhì)程技✔≥‌™(jì)術(shù)和(hé)高(gāo)光(guāng)采集率表面粗 ☆¶糙化(huà)技(jì)術(shù)，可(kě)緊密與半導體(tǐ)産業" ↓★(yè)及技(jì)術(shù)結合。