平均海(hǎi)拔4500米以上(shàng)、最高(gāo)達6000米&';凍土(tǔ)層1米;最大(dà)日(rì)溫☆ δ差±32℃，零下(xià)30℃仍要(yào)正常工™✔₩×(gōng)作(zuò)，紫外(wài)線超強……高(gāo)海("≥​£hǎi)拔、高(gāo)溫差氣候對(duì)LED材料結×<←Ω構、封裝技(jì)術(shù)、光(guāng)色質量與驅動控制(zhì)電♣≤π(diàn)源等都(dōu)提出了(le≤♠)極高(gāo)要(yào)求。

　　如(rú)今，大(dà)半年(nián)過去(qùδ ↓≈)，路(lù)燈亮(liàng)燈率達100%。863計(₽∞♠>jì)劃“半導體(tǐ)照(zhào)明(míng)工(gōng) $≤程”重大(dà)項目科(kē)研成果首次在西(xī)藏地(d>∑↑ì)區(qū)的(de)示範應用(yònπλ♥©g)，不(bù)僅交出了(le)滿意的(de)答(dá)卷，同時(sh≤>∞•í)也(yě)創造了(le)世界上(shàng)在海(hǎi)拔450α♠0米以上(shàng)地(dì)區(qū)集中安裝數→"★Ω(shù)百套太陽能(néng)LED路(lù)燈的(d±‍e)紀錄。

　　LED，照(zhào)亮(liàng)漫漫天路(lù)，也(yě)±©€€照(zhào)亮(liàng)了(le)中國λα(guó)。

　　8年(nián)時(shí)光(guāng)荏苒，我國(guó)半ε"導體(tǐ)照(zhào)明(míng)産業(yè)從(có©★γ•ng)無到(dào)有(yǒu)，逐步發展壯大(dà)。目前制( ✘±zhì)約産業(yè)轉型升級的(de)關鍵技(jì)術(s¶×≠¥hù)陸續取得(de)突破，産業(yè)核心技(jì)術(shù)研&★發與創新能(néng)力快(kuài)速提 φ↓σ高(gāo)，一(yī)條從(cóng)上(shàng)遊外(wài)延芯片到(dào)中遊器(qì)件(jiàn)封裝，再到(dào)下(‌‍Ω€xià)遊集成應用(yòng)的(de)較為(wèi)完整的≥≥(de)技(jì)術(shù)創新鏈和(hé)具備較強國(guó₽ )際市(shì)場(chǎng)競争力的(de)π₽>¥産業(yè)鏈正在形成。

　　搶占先機(jī)，圍繞産業(yè)需求部署研發

　　如(rú)今用(yòng)于白(báiδ§)光(guāng)照(zhào)明(míng)的(de)L✔"'¥ED器(qì)件(jiàn)是(shì)基于半導體(tǐ)氮化(h∑&§uà)物(wù)材料制(zhì)備的(de)。這σ★​π(zhè)種LED器(qì)件(jiàn)的(Ω≈φde)概念在上(shàng)世紀60年(nián)代提出，但(dàn> )由于制(zhì)備技(jì)術(shù)上(shàng)的(de)限<‍λ制(zhì)，一(yī)直發展緩慢(màn)，當α✔←時(shí)誰也(yě)沒想到(dào)這(zhè)種×‌÷半導體(tǐ)材料可(kě)以用(yòng δ∑)來(lái)照(zhào)明(míng)。

　　“直到(dào)上(shàng)世紀90年(♠≥★nián)代初期，在日(rì)本科(kē)學家(jiā)↓→ ≥突破了(le)低(dī)溫緩沖層和(hé∏™$‌)P型摻雜(zá)兩大(dà)難題後，可(kě)α¶♣‌用(yòng)于照(zhào)明(míng)應用(yòng)的(de)氮化(β€₹huà)物(wù)藍(lán)光(guāng)LED才真≤∑正被制(zhì)造出來(lái)，随後氮化(huà)物(w∞®'δù)材料引發了(le)國(guó)際上(shàng)的(de)研究熱(rè↑>​£)潮，産業(yè)應用(yòng)也(yě)随之進入了(le)快(kuà→β€i)速發展階段。”中科(kē)院半導體(tǐ)研究所所長(cháng)♦φ✔李晉閩介紹說(shuō)。

　　作(zuò)為(wèi)白(bái)熾燈、熒光>•(guāng)燈之後的(de)新型照(zhào≤ )明(míng)技(jì)術(shù)，LED具有(yǒ♣∞™<u)其他(tā)傳統照(zhào)明(m≥€íng)光(guāng)源不(bù)可(kě®↕)比拟的(de)應用(yòng)優勢，它具有(yǒu)耗電(diàn)量少(✘®shǎo)、壽命長(cháng)、無汞污染、色彩豐富、可(kě)↕π調控性強等特點，呈現(xiàn)出強大(dà)的(de)生(∏$‍♥shēng)命力和(hé)極快(kuài↕↕®)的(de)發展速度，被稱為(wèi)照(zhào)明(míng)光(g↔Ω★≠uāng)源及光(guāng)産業(yè)的(de)一(yī)次革≤φ命。半導體(tǐ)照(zhào)明(míng)也(yě)被普遍認為π‍∏ (wèi)是(shì)21世紀最具發展潛力的(de)戰略性新興産業(yè)。美'≈(měi)國(guó)、歐盟、日(rì)本、韓國(guó)↓• 等發達國(guó)家(jiā)近(jìn)10年(nián)來(lái)紛紛立γ> ♥足國(guó)家(jiā)戰略推動半導體(tǐ)照(zhào)明♣‍✔(míng)技(jì)術(shù)研發和(hé)産♦→業(yè)發展。

　　但(dàn)在8年(nián)前，中國(guó)半導體(tǐ)照♥✔(zhào)明(míng)上(shàng)遊産業(yè)發展幾乎是(shì)一>αδ'(yī)片空(kōng)白(bái)，下(xià)•↑‍遊應用(yòng)剛剛起步，功率芯片全部依賴進→♠↔口，企業(yè)規模小(xiǎo)、缺乏産業(yè)化(huà)技(jì)術$Ω(shù)，整個(gè)産業(yè)銷售φ♦收入不(bù)足百億元。

　　為(wèi)搶占新興産業(yè)的(de)先機(jī)，提高(gāo)新一‌×∏γ(yī)代半導體(tǐ)材料與技(jì)術(shù)的$ •ε(de)國(guó)際競争力，從(cón™αg)“十五”開(kāi)始，科(kē)技(jì)部率先支持半導體(tǐ)照(zhào)明(míng)αε技(jì)術(shù)和(hé)産業(yè)的(de)發展。20♣♥03年(nián)，科(kē)技(jì)部、原信産部、中®φ↔♣科(kē)院、教育部、原建設部、輕工(gōng)業(yè)聯合會(huì)等聯合成立了(le)國(guó)家(jiā)半導體(tǐ♥¶←)照(zhào)明(míng)工(gōng)程協調領導小(xiǎo)組，并≈ £ε緊急啓動“國(guó)家(jiā)半導體(tǐ)照(zhào)明(míng& ¶&)工(gōng)程”，通(tōng)過科(♦♦•kē)技(jì)攻關計(jì)劃等項目部署，≈←以近(jìn)期解決特殊照(zhào)明(míng)∑÷∑市(shì)場(chǎng)急需的(de)産業(<÷εγyè)化(huà)關鍵技(jì)術(shù)，中遠(yuǎn)期培育白(b₽® ái)光(guāng)普通(tōng)照(zhào)明(mín‍"g)産業(yè)為(wèi)目标，以應用(↓♣φyòng)促發展，推動形成有(yǒu)核心競争力的(de)中國"&→(guó)半導體(tǐ)照(zhào)明(mín↓♦∏£g)産業(yè)。

　　談到(dào)技(jì)術(shù)研發，李晉閩有(yǒu)著(∞¶✔≥zhe)更深的(de)理(lǐ)解：“我們發展科(kē)§±©技(jì)，過去(qù)大(dà)多(duō)走的(de)是(shì)從(←✔♣±cóng)前期自(zì)由探索到(dào)基礎研究再到(dà✔←→♥o)應用(yòng)研究，最後到(dào)工(gōng)程化(huà)&Ω∞&工(gōng)業(yè)化(huà)的(de)路φδ‍(lù)徑。”但(dàn)在李晉閩看(kàn)來(lái)，這(zhè)γ★ 對(duì)半導體(tǐ)照(zhào)明(míng)領域而言并非完全适用∞α(yòng)。“不(bù)僅僅是(shì)技(  &jì)術(shù)推動産業(yè)發展，事(shì)實 ×β≠上(shàng)，市(shì)場(chǎng)應用(σεyòng)和(hé)産業(yè)的(de)迫切需求，強有(↕✔₩♠yǒu)力地(dì)驅動半導體(tǐ)照(zhào)明(míng)技(®≠jì)術(shù)不(bù)斷進步。”

　　他(tā)多(duō)次用(yòng)“日(rì)新≥¥月(yuè)異”來(lái)形容半導體(tǐ)照(zhào)明(míng)技("★πjì)術(shù)研發和(hé)産業(yè)發展态勢。“λφ 在這(zhè)個(gè)行(xíng)業(yè)領 ™​♣域，更新變化(huà)的(de)周期是(shì)3個(gè)月(yu♥₽€è)甚至1個(gè)月(yuè)，每個(gè)月§ε₩(yuè)都(dōu)有(yǒu)新的(dδ​e)東(dōng)西(xī)出現(xiàn)，既有(yǒu)新的(de)技(↕©βjì)術(shù)、新的(de)研發成果，也(yě)有(yǒu)新的(de &)産品、新的(de)應用(yòng)。”人(ré↔§♣∑n)們不(bù)斷追求更高(gāo)的(de≤<π​)光(guāng)效、更舒适的(de)照(zε​hào)明(míng)體(tǐ)驗，這(zhè)種消費(fèi)需求和(hé₽£)國(guó)際同行(xíng)在技(jì)術(shù)∏​研發的(de)激烈競争，讓包括李晉閩在內(nèi)的(de)科(kē®₩)研人(rén)員(yuán)感受到(dào)前所未有(≤→↑±yǒu)的(de)挑戰。

　　因此，在國(guó)家(jiā)科(kē)技(jì&πφ♠)計(jì)劃設計(jì)之初，就(jiù)充分 ™(fēn)考慮了(le)産業(yè)和(hé)市(©♣∏shì)場(chǎng)的(de)需求，以突破部分(∏♥fēn)核心關鍵技(jì)術(shù)，促進上(shàng)下​₽(xià)遊實質性合作(zuò)為(wèi)目标，按照(×δ±zhào)産業(yè)鏈來(lái)部署技(jì)術(shù)創新的(d•→↕e)各個(gè)環節。“當時(shí)科(kē)研項目的(de)設計(∑☆$jì)和(hé)組織都(dōu)經過了(le)深入企業(yè)•π¥充分(fēn)調研，項目設計(jì)與産業(β<±yè)迫切需求緊密結合，非常貼合企業(yè)發展的(de)方向，更是(s×>↔hì)面向國(guó)民(mín)經濟發展的(de)主戰場(chǎng)©‌。”國(guó)家(jiā)半導體(tǐ)照(zhào)明(m₹ íng)工(gōng)程研發及産業(yè)聯盟秘書(shū)長(cháγ♣↑ng)吳玲回憶。

　　2006年(nián)8月(yuè)，科(kē)<₽δ技(jì)部在“十五”國(guó)家(jiā)半導體(tǐ)照(zhào)明(₩ ☆míng)工(gōng)程實施的(de)基礎上(s♠±$←hàng)，根據《國(guó)家(jiā)中長(cháng™♣)期科(kē)學和(hé)技(jì)術(shù)發展規劃綱要(yào)》€‍€的(de)部署和(hé)“十一(yī)五”科( ₹kē)技(jì)發展規劃，在“十一(yī)五”國(guó•σφ)家(jiā)863計(jì)劃新材料領域中設立“半導體(tǐ)照π♠↕>(zhào)明(míng)工(gōng)程”♥¶<重大(dà)項目，目标是(shì)通(tōng)過自(zì)主創新♠✔，突破白(bái)光(guāng)照(zhào↔σ↕>)明(míng)部分(fēn)核心專利，解決半導體(tǐ)照(zhàoδ©)明(míng)市(shì)場(chǎng)急需的(de)産業€&σ$(yè)化(huà)共性關鍵技(jì)術(©γshù)，完善半導體(tǐ)照(zhào)明(míng)≤£©φ産業(yè)鏈。

　　與此同時(shí)，科(kē)技(jì)部推動構建的(de​↔)國(guó)家(jiā)半導體(tǐ)照(zhào)明(míng)工(gō¥ ng)程研發及産業(yè)聯盟的(de)行(xíng)業(£§π★yè)凝聚力和(hé)影(yǐng)響力逐步擴大(dà)。2009φ®年(nián)，為(wèi)形成緊密的(de)技(קΩ♠jì)術(shù)創新鏈，在聯盟常務理(lǐ)事(shì)單 ÷位的(de)基礎上(shàng)，在科(kē)技(jì‌βφ)部政策法規司指導下(xià)組建了(le)半導體(tǐ)照(zh"≈ào)明(míng)産業(yè)技(jì)術(shù)創≤♥σ新戰略聯盟。